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訂 貨 號:NTJD4158CT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個(gè)封裝中同時(shí)采用 P 和 N 通道,非常適用于低控制信號,低電池電壓和高負(fù)載電流。N 通道具有內(nèi)部 ESD 保護(hù)功能,可以由低至 1.5V 的邏輯信號驅(qū)動(dòng),而 P 通道則設(shè)計(jì)用于負(fù)載切換應(yīng)用。P 信道還采用半溝道技術(shù)設(shè)計(jì)。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N,P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 250 mA,880 mA |
| 最大漏源電壓 | 20 V,30 V |
| 封裝類型 | SOT-363 (SC-88) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 2.5 Ω, 500 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 270 mW |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、-12 V、+12 V、+20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 寬度 | 1.35mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.9 nC @ 5 V,2.2 nC @ 4.5 V |
| 長度 | 2.2mm |
| 晶體管材料 | Si |