特點
? TrenchFET ? 功率 MOSFET
?具有低熱阻的封裝
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 1 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | HVMDIP |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 540 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 6.29mm |
| 長度 | 5mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 晶體管材料 | Si |
