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       工業(yè)電氣產品    工業(yè)控制產品    傳感測量產品    儀表工具產品    工業(yè)電子產品    機械設備產品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      Infineon BSC010NE2LSATMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：BSC010NE2LSATMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon BSC010NE2LSATMA1 MOSFET
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            OptiMOS? 產品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產品經的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節(jié)標準的能效和功率密度要求。
         
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            N 通道 - 增強模式
      符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
      MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
      175°C 工作溫度
      綠色封裝（無鉛）
      超低 Rds(on) 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    100 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    25 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TDSON
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    1.3 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    96 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    長度
                    6.1mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    31 nC @ 10 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    5.35mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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