產(chǎn)品分類

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      Vishay SiHG30N60E-GE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SiHG30N60E-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Vishay SIHG30N60E-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道 MOSFET,E 系列,低品質(zhì)因數(shù),Vishay Semiconductor

      Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管,具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。 它們提供各種電流額定值。 典型應(yīng)用包括服務(wù)器和電信電源、LED 照明、回掃轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正 (PFC) 和開關(guān)模式電源 (SMPS)。

      特點(diǎn)

      低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
      低輸入電容 (Ciss)
      低接通電阻(RDS(接通))
      超低柵極電荷 (Qg)
      快速切換
      減少切換和傳導(dǎo)損耗

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 29 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 TO-247AC
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 125 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 250 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      長(zhǎng)度 15.87mm
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
      晶體管材料 Si
      寬度 5.31mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無(wú)

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