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      onsemi FDS6675BZ MOSFET

      訂 貨 號:FDS6675BZ      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FDS6675BZ MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      PowerTrench? P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復(fù)主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
      最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu),可提供電荷平衡。 利用這一先進技術(shù),這些設(shè)備的 FOM(品質(zhì)因素)顯著低于之前的 FOM。
      PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 11 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 SOIC
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 13 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 2500 mW
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -25 V、+25 V
      典型柵極電荷@Vgs 44 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      寬度 4mm
      長度 5mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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