產(chǎn)品分類

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      Infineon IRFU5305PBF MOSFET

      訂 貨 號(hào):IRFU5305PBF      品牌:國(guó)際整流器_IR

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Infineon IRFU5305PBF MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V

      Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件,以及可應(yīng)對(duì)幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計(jì)難題的外形尺寸。在整個(gè)系列內(nèi),電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗,使設(shè)計(jì)人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。

      http://media.rs-online.com/t_line/LB1POLAR-21.gif

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 31 A
      最大漏源電壓 55 V
      封裝類型 IPAK (TO-251)
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 65 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 110 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +175 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 2.3mm
      典型柵極電荷@Vgs 63 nC @ 10 V
      長(zhǎng)度 6.6mm
      暫無(wú)

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