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      德州儀器 CSD19536KCS MOSFET

      訂 貨 號(hào):CSD19536KCS      品牌:

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      德州儀器 CSD19536KCS MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

      MOSFET 晶體管,Texas Instruments


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 259 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 3.2 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.2V
      最小柵閾值電壓 2.1V
      最大功率耗散 375 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      寬度 4.7mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +175 °C
      典型柵極電荷@Vgs 118 nC @ 10 V
      長度 10.67mm
      晶體管材料 Si
      暫無

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