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Infineon IRF7389TRPBF MOSFET

訂貨號：IRF7389TRPBF 品牌：國際整流器_IR

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雙 N/P 通道功率 MOSFET，Infineon

Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個 HEXFET? 設(shè)備，以便在板空間要求嚴格的高元件密度設(shè)計中提供經(jīng)濟實惠節(jié)省空間的切換解決方案。提供各種封裝選項，設(shè)計人員可以選擇雙 N/P 通道配置。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N，P
最大連續(xù)漏極電流	5.3 A，7.3 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SOIC
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	46 mΩ, 98 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	1V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	2.5 W
晶體管配置	隔離式
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
晶體管材料	Si
每片芯片元件數(shù)目	2
寬度	4mm
長度	5mm
典型柵極電荷@Vgs	22 nC @ 10 V，23 nC @ 10 V
最高工作溫度	+150 °C

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