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      Texas Instruments CSD19536KTTT MOSFET

      訂 貨 號:CSD19536KTTT      品牌:德州儀器_Texas Instruments

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

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      公司基本資料信息







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      Texas Instruments CSD19536KTTT MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

      MOSFET 晶體管,Texas Instruments


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 272 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 2.8 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大功率耗散 375 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      寬度 9.65mm
      長度 10.67mm
      最高工作溫度 +175 °C
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 118 nC @ 0 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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