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Infineon IPB020NE7N3GATMA1 MOSFET

訂貨號(hào)：IPB020NE7N3GATMA1 品牌：GAT

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

快速切換 MOSFET，用于 SMPS
優(yōu)化技術(shù)，用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標(biāo)應(yīng)用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道，邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導(dǎo)通電阻 R DS(on)
無(wú)鉛電鍍

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	120 A
最大漏源電壓	75 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	2 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	3.8V
最小柵閾值電壓	2.3V
最大功率耗散	300 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	155 nC @ 10 V
長(zhǎng)度	10.31mm
最高工作溫度	+175 °C
寬度	9.45mm

暫無(wú)

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