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      onsemi NTLJD3119CTBG MOSFET

      訂 貨 號(hào):NTLJD3119CTBG      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      onsemi NTLJD3119CTBG MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      雙 N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor

      NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個(gè)封裝中同時(shí)采用 P 和 N 通道,非常適用于低控制信號(hào),低電池電壓和高負(fù)載電流。N 通道具有內(nèi)部 ESD 保護(hù)功能,可以由低至 1.5V 的邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng),而 P 通道則設(shè)計(jì)用于負(fù)載切換應(yīng)用。P 信道還采用半溝道技術(shù)設(shè)計(jì)。

      MOSFET 晶體管,ON Semiconductor


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N,P
      最大連續(xù)漏極電流 4.1 A,4.6 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 WDFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 6
      最大漏源電阻值 120 mΩ, 200 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 2.3 W
      晶體管配置 隔離式
      最大柵源電壓 -8 V、+8 V
      寬度 2mm
      每片芯片元件數(shù)目 2
      典型柵極電荷@Vgs 3.7 nC @ 4.5 V,5.5 nC @ 4.5 V
      長(zhǎng)度 2mm
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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