HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應用，可提供帶有卓越強度的低柵極電荷。 該設備包含一個快速本質二極管且提供各種工業標準封裝，包括隔離類型，帶有額定值高達 1100V 和 70A。 典型應用包括直流－直流轉換器、電池充電器、開關模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。
快速本質整流器二極管
低 RDS（接通）和 QG（柵極電荷）
低本質柵極電阻
工業標準封裝
低封裝電感
高功率密度
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 30 A |
| 最大漏源電壓 | 1000 V |
| 封裝類型 | SMPD |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 24 |
| 最大漏源電阻值 | 245 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 6.5V |
| 最大功率耗散 | 694 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -40 V、+40 V |
| 長度 | 25.25mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 264 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 23.25mm |
