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onsemi FDS4435BZ MOSFET

訂貨號：FDS4435BZ 品牌：安森美_Onsemi

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汽車 P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解決方案可解決汽車市場的復(fù)雜難題，具有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量控制、安全和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	8.8 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SOIC
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	20 MΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	2500 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
晶體管材料	Si
長度	5mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	29 nC @ 10 V
寬度	4mm

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