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      IXYS IXFH22N65X2 MOSFET

      訂 貨 號:IXFH22N65X2      品牌:艾賽思_IXYS

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

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      IXYS IXFH22N65X2 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道功率 MOSFET , IXYS HiPerFET ? X2 系列

      與前幾代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 類 HiPerFET 功率MOSFET 系列顯著降低電阻和柵極電荷,從而降低了損耗,提高了操作效率。這些堅(jiān)固耐用的器件包含增強(qiáng)型高速固有二極管,適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用。X2 類功率MOSFET可采用多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離型,在 650V 時(shí)額定電流高達(dá) 120A。典型應(yīng)用包括直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,交流和直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,開關(guān)模式和諧振模式電源,直流截波器,太陽能逆變器,溫度和照明控制。

      非常低的 RDS (接通) 和 QG (柵極電荷)
      快速固有整流器二極管
      低固有柵極電阻
      低封裝電感
      工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

      MOSFET 晶體管,IXYS

      IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設(shè)備


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 22 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 145 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5V
      最小柵閾值電壓 2.7V
      最大功率耗散 390 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      寬度 21.45mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      長度 16.24mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 37 nC @ 10 V
      暫無

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