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      onsemi FDC637AN MOSFET

      訂 貨 號:FDC637AN      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

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      onsemi FDC637AN MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 6.2 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 SOT-23
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 6
      最大漏源電阻值 41 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最小柵閾值電壓 0.4V
      最大功率耗散 1.6 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -8 V、+8 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 1.7mm
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
      長度 3mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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