Vishay 第三代功率 MOSFET 為設計人員提供了快速切換，耐震設備設計，低接通電阻和成本效益的最佳組合。TO-220AB 封裝是功耗水平約為 50 W 的所有商業 - 工業應用的通用首選
動態 dV/dt 額定值
易于并聯
簡單的驅動器要求
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 11 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 500 MΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 44 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 10.41mm |
| 寬度 | 4.7mm |
| 晶體管材料 | Si |
