產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
       
    
    

   
      
     
      
        
      
         
      
         
      分類：
               
       工業(yè)電氣產(chǎn)品    工業(yè)控制產(chǎn)品    傳感測量產(chǎn)品    儀表工具產(chǎn)品    工業(yè)電子產(chǎn)品    機械設(shè)備產(chǎn)品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      MagnaChip MMF60R360PTH MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：MMF60R360PTH        品牌：
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價：
                                     登陸后可查看
                                   
                      
                  
      
                  
      
               
      
               
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品 
        • 
                   
      • 替代產(chǎn)品
        • 
                 
      
           
      
           
      
              
        
              
        
          
      
          
        
              
        
          
      
           
      
      
      
     
     
      
       
      
           
        
             
      • 產(chǎn)品介紹 
        • 
             
      • 產(chǎn)品屬性
        • 
             
      • 相關(guān)資料
        • 
             
      • 產(chǎn)品評價（0）
        • 
           
      
        
      
        
      
          
      
            
      
               MagnaChip MMF60R360PTH MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      超級接線盒 (SJ) MOSFET
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            這些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超級接線盒技術(shù)提供低接通電阻和柵極電荷。 通過采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可使其高效。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            低 EMI
      具有高速切換和低接通電阻，提供低功耗 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，MagnaChip
      
                    
                
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    11 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    600 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-220F
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    360 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    31 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -30 V、+30 V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    長度
                    10.71mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    寬度
                    4.93mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    28 nC @ 10 V
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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