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      onsemi 2N7000 MOSFET

      訂 貨 號:2N7000      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      onsemi 2N7000 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      高級功率 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      雪崩耐受技術(shù)
      耐用柵極氧化物技術(shù)
      低輸入電容
      改進了柵極電荷

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 200 mA
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 TO-92
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 5 Ω
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 0.8V
      最大功率耗散 400 mW
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 4.19mm
      晶體管材料 Si
      長度 5.2mm
      暫無

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