400 W 峰值脈沖功率，帶 10/1000 μs 波形
雪崩擊穿電壓容差 ±5% VTVSxxxA... ± 2 % VTVSxxxG...
超薄封裝
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 方向類型 | 單向 |
| 二極管配置 | 單路 |
| 最大鉗位電壓 | 61V |
| 最小擊穿電壓 | 40.9V |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝類型 | DO-219AB |
| 最大反向待機電壓 | 36V |
| 引腳數目 | 2 |
| 峰值脈沖功率耗散 | 400W |
| 最大峰值脈沖電流 | 6.24A |
| ESD保護 | 是 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最低工作溫度 | -55 °C |
| 尺寸 | 2.9 x 1.9 x 0.98mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
