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      IXYS IXFT30N50Q3 MOSFET IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

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      更新日期:2022-10-13    瀏覽次數(shù):68    下載次數(shù):0
      IXYS IXFT30N50Q3 MOSFET IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
      IXYS IXFT30N50Q3 MOSFET IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
      IXYS IXFT30N50Q3 MOSFET IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
      IXYS IXFT30N50Q3 MOSFET IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

      N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列

      HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用,可提供帶有卓越強(qiáng)度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個(gè)快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達(dá) 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

      快速本質(zhì)整流器二極管
      低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
      低本質(zhì)柵極電阻
      工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
      低封裝電感
      高功率密度

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