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      類型分類:
      科普知識
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      霍爾傳感器

      反偏壓封裝改進(jìn)(SE、SG、SH 和 SJ 與 SA 和 SB 相比)

      發(fā)布日期:2022-04-26 點(diǎn)擊率:306

      作者:Daniel Dwyer,Allegro MicroSystems, LLC

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      摘要

      除了在過去十年內(nèi)在霍爾傳感器 IC 技術(shù)方面取得了一些進(jìn)展之外,Allegro? MicroSystems 在反饋偏壓器件的封裝方面也取得了重大進(jìn)展。磁性回路元件和高溫材料的使用可幫助制造商(想將這些元件和材料用在最終的傳感器模塊產(chǎn)品中)降低系統(tǒng)總成本。創(chuàng)新型封裝設(shè)計(jì)與裝配技術(shù)有助于生產(chǎn)出更小、更強(qiáng)大的器件。

      SA 和 SB 封裝

      Allegro 的 SA 和 SB 是第一代反偏壓封裝的代表。SA 和 SB 由機(jī)械裝配組件組成,這些組件將通過超聲波焊接方式焊接到成品封裝上。模塑霍爾效應(yīng) IC 是系統(tǒng)的大腦,極片和稀土磁鐵可強(qiáng)化磁性回路,而外殼和端蓋則構(gòu)成了封裝殼體。

      SA 和 SB 僅在尺寸方面有所差別:SB 長 7  mm,而 SA 長 9  mm。尺寸較大的 SA 主要用于單元件霍爾效應(yīng)器件,與差分器件相比,這種器件需要更大、更復(fù)雜的磁鐵系統(tǒng)。

      圖 1

      圖 1:差分封裝部件分解圖。



      SE、SG、SH 和 SJ 封裝

      與 SA 和 SB 一樣,比較新的 SE、SG、SH 和 SJ 封裝具有齒輪出傳感器 IC 所需的所有元件。與 SA 和 SB 不同的是,新封裝的功能部件的裝配和成型制作都是在一個(gè)步驟中完成的。請參考圖 2 查看 SB 封裝的橫截面,參考圖 3 查看 SG 封裝的橫截面。SG 封裝的橫截面也是 SE、SH 和 SJ 的橫截面的典型代表。SE 允許采用較大的、專門設(shè)計(jì)的稀土磁鐵來進(jìn)行 TPO(真通電)和近接感測,而較小的 SG、SH 和 SJ 封裝允許采用差動(dòng)磁鐵來進(jìn)行速度和方向感測。

      圖 2

      圖 2:SB 封裝的橫截面。



      圖 3

      圖 3:SG 封裝的橫截面。

      SE、SG、SH 和 SJ 的引線框

      這四種封裝具有相同的制造流程和封裝尺寸,但卻擁有不同的引線框。SE、SG 和 SJ 有四根引線,可以與集電極開路 3 線器件配合使用;而 SH 有兩根寬引線,可以與 2 線器件配合使用。SH 的兩根引線比 SG 的引線要寬,便于錫焊或焊接。SE 和 SJ 的引線比 SH 的引線窄,但他們能夠伸展,因而也便于錫焊或焊接。

      SGSHSJSE
      SG              SHSJSE

      圖 4:高級封裝的等角視圖。





      在這四種封裝中,引線的尺寸和間隔滿足以下條件:他們的成形不會(huì)導(dǎo)致封裝包膜的外直徑增大。

      模塑至引線的一端的熱塑性引線棒可以控制引線在運(yùn)輸和后續(xù)加工期間的共面性和平直度。

      位于封裝背面的模塑部件能在后續(xù)的裝配步驟中幫助進(jìn)行定向和定位。參考圖 5。

      圖 8

      圖 5:SG 封裝背面的等角視圖。



      SE、SG、SH 和 SJ 封裝的優(yōu)勢

      與第一代封裝(參考圖 2 和圖 3)相比,獲得專利的 Allegro SE、SG、SH 和 SJ 封裝能讓稀土磁鐵更加靠近 IC。憑借這項(xiàng)幾何優(yōu)勢,器件可以使用比標(biāo)準(zhǔn)封裝中更小的稀土磁鐵來滿足大氣隙性能要求。所得小封裝可以輕易滿足現(xiàn)如今的齒輪齒感測應(yīng)用的緊密間隔要求。

      在 SA 和 SB 中進(jìn)行裝配所需的間隙會(huì)致使整個(gè)包裝內(nèi)部都存在空隙(參考圖 1)。由于 SE、SG、SH 和 SJ 沒有這樣的空隙,其散熱性能會(huì)更好,而且本來在隨后的灌封操作中可能會(huì)出現(xiàn)的滯留氣泡也不會(huì)再出現(xiàn)。

      通過減少 SE、SG、SH 和 SJ 封裝中的熱傳導(dǎo)通路,可以進(jìn)一步改善散熱性能。通過采用一步成型工藝,可以消除 IC 的引線框和稀土磁鐵之間常見的塑料層。導(dǎo)熱性的提高意味著稀土磁鐵的散熱能力增強(qiáng),從而使器件能夠在更高的環(huán)境溫度下工作。參考圖 3。

      SE、SG、SH 和 SJ 解決方案的優(yōu)勢

      • 封裝尺寸小
        一步式熱固性成型工藝允許稀土磁鐵與 IC 緊密靠近,從而有助于提高磁效率和減小稀土磁鐵尺寸。通過采用一步式熱固性成型工藝,還能實(shí)現(xiàn)更薄的墻體和更小的封裝尺寸。

      • 系統(tǒng)實(shí)施簡單
        反偏壓封裝(在這個(gè)結(jié)實(shí)耐用的小型封裝內(nèi)有一個(gè)優(yōu)化的稀土磁鐵)僅需要最低限度的磁性回路設(shè)計(jì)知識。

      • 高溫操作
        一步式熱固性成型工藝可以改善散熱情況,使器件能夠在高溫下操作。

      • 強(qiáng)大的后期處理能力
        一步式成型工藝可以消除空隙、防止在灌封或包覆成型過程中產(chǎn)生氣泡。

      • 便于進(jìn)行引線錫焊和焊接
        SE、SH 和 SJ 封裝優(yōu)化的引線配置使錫焊和焊接工作變得更加簡單。

      封裝矩陣表

      封裝

      制造

      霍爾 IC 類型

      接口

      外殼直徑
      (mm)

      外殼深度
      (mm)

      機(jī)械

      模塑

      單一

      差分

      3 線

      2 線

      SA

      X

       

      X

      X

      X

       

      9

      9

      SB

      X

       

      X

      X

      X

      X

      9

      7

      SE

       

      X

      X

       

      X

       

      10

      7

      SG

       

      X

       

      X

      X

       

      8

      5.5

      SH

       

      X

       

      X

       

      X

      8

      5.5

      SJ

       

      X

       

      X

      X

       

      8

      5.5

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