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濾波器，以改善波形，避免脈沖上升沿尖峰擊穿電機繞組。

　　圖1

　　采用雙極型開關管的逆變器，基極驅動電流基本上為開關電流的1/β，因此大電流開關電路必須采用多級放大，不僅使電路復雜化，可靠性也變差而且隨著輸出功率的增大，開關管驅動電流需大于集電極電流的1/β，致使普通驅動IC無法直接驅動。雖說采用多級放大可以達到目的，但是波形失真卻明顯增大，從而導致開關管的導通/截止損耗也增大。目前解決大功率逆變電源及UPS的驅動方案，大多采用MOS FET管作開關器件。

　　MOSFET管的應用

　　近年來，金屬氧化物絕緣柵場效應管的制造工藝飛速發展，使之漏源極耐壓（VDS）達kV以上，漏源極電流（IDS）達50A已不足為奇，因而被廣泛用于高頻功率放大和開關電路中。

　　除此而外，還有雙極性三極管與MOS FET管的混合產品，即所謂IGBT絕緣柵雙極晶體管。顧名思義，它屬MOS FET管作為前級、雙極性三極管作為輸出的組合器件。因此，IGBT既有絕緣柵場效應管的電壓驅動特性，又有雙極性三極管飽合壓降小和耐壓高的輸出特性，其關斷時間達到0.4μs以下，VCEO達到1.8kV，ICM達到100A的水平，目前常用于電機變頻調速、大功率逆變器和開關電源等電路中。

　　一般中功率開關電源逆變器常用MOS FET管的并聯推挽電路。MOS FET管漏-源極間導通電阻，具有電阻的均流特性，并聯應用時不必外加均流電阻，漏源極直接并聯應用即可。而柵源極并聯應用，則每只MOS FET管必須采用單獨的柵極隔離電阻，避免各開關管柵極電容并聯形成總電容增大，導致充電電流增大，使驅動電壓的建立過程被延緩，開關管導通損耗增大。

　　MOSFET的驅動

　　近年來，隨著MOSFET生產工藝的改進，各種開關電源、變換器都廣泛采用MOS FET管作為高頻高壓開關電路，但是，專用于驅動MOS FET管的集成電路國內極少見。驅動MOSFET管的要求是，低輸出阻抗，內設灌電流驅動電路。所以，普通用于雙極型開關管的驅動IC不能直接用于驅動場效應管。

　　目前就世界范圍來說，可直接驅動MOSFET管的IC品種仍不多，單端驅動器常用的是UC3842系列，而用于推挽電路雙端驅動器有SG3525A（驅動 N溝道場效應管）、SG3527A（驅動P溝道場效應管）和SG3526N（驅動N溝道場效應管）。然而在開關電源快速發展的近40年中，畢竟有了一大批優秀的、功能完善的雙端輸出驅動IC.同時隨著MOSFET管應用普及，又開發了不少新電路，可將其用于驅動MOSFET管，解決MOSFET的驅動無非包括兩個內容：一是降低驅動IC的輸出阻抗；二是增設MOSFET管的灌電流通路。為此，不妨回顧SG3525A、SG3527A、SG3526N以及單端驅動器UC3842系列的驅動級。

　　圖2

　　圖2a為上述IC的驅動輸出電路（以其中一路輸出為例）。振蕩器的輸出脈沖經或非門，將脈沖上升沿和下降沿輸出兩路時序不同的驅動脈沖。在脈沖正程期間，Q1導通，Q2截止，Q1發射極輸出的正向脈沖，向開關管柵極電容充電，使漏-源極很快達到導通閾值。當正程脈沖過后，若開關管柵-源極間充電電荷不能快速放完，將使漏源極驅動脈沖不能立即截止。為此，Q1截止后，或非門立即使Q2導通，為柵源極電容放電提供通路。此驅動方式中，Q1提供驅動電流，Q2提供灌電流（即放電電流）。Q1為發射極輸出器，其本身具有極低的輸出阻抗。

　　為了達到上述要求，將普通用于雙極型開關管驅動輸出接入圖2b的外設驅動電路，也可以滿足MOS FET管的驅動要求。設計驅動雙極型開關管的集成電路，常采用雙端圖騰柱式輸出兩路脈沖，即兩路輸出脈沖極性是相同的，以驅動推挽的兩只NPN型三極管。為了讓推挽兩管輪流導通，兩路驅動脈沖的時間次序不同。如果第一路輸出正脈沖，經截止后，過一死區時間，第二路方開始輸出。兩路驅動級采用雙極型三極管集射極開路輸出，以便于取得不同的脈沖極性，用于驅動NPN型或PNP型開關管。

　　前級驅動IC內部緩沖器的發射極，在負載電阻R1上建立未倒相的正極性驅動脈沖使三極管Q截止。在驅動脈沖上升沿開始，正極性脈沖通過二極管D加到MOS FET開關管柵-源極，對柵源極電容CGS充電，當充電電壓達到開關管柵極電壓閾值時，其漏源極導通。正脈沖持續期過后，IC內部緩沖放大器發射極電平為零，輸出端將有一定時間的死區。此時，Q的發射極帶有CGS充電電壓，因而Q導通，CGS通過Q的ec極放電，Q的集電極電流為灌電流通路。R2為開關管的柵極電阻，目的是避免開關管的柵極在Q、D轉換過程中懸空，否則其近似無窮大的高輸入阻抗極容易被干擾電平所擊穿。采用此方式利用普通雙端輸出集成電路，驅動MOS FET開關管，可以達到比較理想的效果。為了降低導通/截止損耗，D應選用快速開關二極管。Q的集電極電流應根據開關管決定，若為了提高輸出功率，每路輸出采用多只MOS FET管并聯應用，則應選擇ICM足夠大的灌流三極管和高速開關二極管。

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本文導航

• 第 1 頁：一款功率穩壓逆變電源的設計應用

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