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作者：Luke Trowbridge

截至2020年1月，德國標準化學會(DIN)和德國電氣工程師協會 (VDE) V0884-10: 2006-12不再是用于評估電磁和電容電隔離產品的固有絕緣特性和高壓性能的有效認證標準。這標志著集成電路（IC）制造商三年過渡期的結束。該過渡期始于2017年，當時VDE發布了DIN VDE V 0884-11:2017-01更新標準。隨著這一變化，集成電路制造商必須進行升級以滿足新的認證要求，否則將要求其從相應的IC數據表中刪除VDE認證。

由于這些認證是為基礎和增強的數字隔離器創建的唯一組件級標準，因此它們能夠使原始設備制造商和終端設備制造商相信特定的隔離產品將滿足其系統的高電壓要求和終端設備等級認證。

新標準有哪些變化？

從DIN V VDE V 0884-10到DIN VDE V 0884-11的最大變化是對認證過程和要求的更改。表1中列出的這些更改會影響基本認證和增強認證的組件標準。

表1：DIN V VDE更新（基本和增強）

讓我們逐一瀏覽每個更新。

“最大浪涌隔離電壓”量化了隔離器承受特定瞬態曲線的極高電壓脈沖的能力。由于直接或間接的雷擊、故障或短路事件，圖2所示的浪涌測試曲線可能會在安裝中出現。盡管測試電壓、最低電壓要求和沖擊次數沒有改變，但沖擊現在以雙極性脈沖而非單極性脈沖執行。施加25個正脈沖，隨后是大于1小時但小于2小時的延遲，然后再將25個負脈沖施加到同一單元。

在單個浪涌脈沖期間，一些電荷保留在隔離電介質中，從而產生剩余電場。在單極測試中，剩余電場會減小后續脈沖期間隔離柵觀察到的總電場。雙極脈沖對隔離柵的壓力更大，因為剩余電場現在與前一個脈沖疊加，從而超過了該單元測試序列中任何先前脈沖的場強度。 

圖1：模擬直接或間接雷擊、故障或短路事件的電涌試驗

目前，DIN VDE V 0884-11需要使用行業標準的時間相關的電介質擊穿（TDDB）測試方法來收集隔離壽命投影數據。在此測試中，隔離柵每側的所有管腳都綁在一起，形成了一個雙端子器件，并在兩側之間施加了高電壓。在室溫和最高工作溫度下，以60Hz的各類高電壓切換來收集絕緣擊穿數據。

圖2所示為隔離柵在其整個壽命期間承受高壓應力的固有能力。根據TDDB數據，絕緣的固有能力為1.5 kV_RMS，使用壽命為135年。諸如封裝尺寸、污染程度、材料種類等其他因素可能會進一步限制組件的工作電壓。集成電路制造商需要花費數月甚至數年時間來收集每個經認證設備的數據。

圖2：TDDB測試數據顯示了隔離屏障在其使用壽命內承受高壓應力的固有能力

對于增強隔離，DIN VDE V 0884-11要求使用故障率小于百萬分之一（ppm）的TDDB投影線。即使在指定的工作隔離電壓下預期的最小絕緣壽命為二十年，新的增強型認證仍要求工作電壓額外增加20％的安全裕度，器件的額定壽命增加87.5％的安全裕度，也就是說，在工作電壓比規定值高20％時，最低要求的絕緣壽命為37.5年。

對于基本隔離，DIN VDE V 0884-11的要求不太嚴格，允許的故障率小于1000 ppm。仍需要20％的工作電壓裕度，但基本絕緣器件的使用壽命裕度降低到30％，這是指在工作電壓比額定值高20％的情況下，總要求使用壽命為26年。DIN V VDE V 0884-10先前沒有定義最小額定壽命和整個壽命內的故障率。

盡管部分放電測試標準在DIN VDE V 0884-11中并未更改，但了解部分放電測試對隔離組件的相關性非常有用。即使二氧化硅沒有局部放電，TI和VDE仍在基于二氧化硅的數字隔離器中測試局部放電。光耦合器使用局部放電測試作為一種手段來篩選出在電介質中形成多余空隙的不良生產單元。排除有缺陷的器件非常重要，但是要注意，您不能依賴此測試作為最低保證壽命測試。在數字隔離器上而非在光耦合器上進行的TDDB測試是一個精確的壽命測試過程。

通過認證，設備制造商可以在全球范圍內使用隔離設備，滿足終端應用程序設計要求，并了解隔離器是否能夠在其整個生命周期內可靠地工作。針對認證要求的更新和修訂（如DIN VDE中的要求）可確保高電壓安全性要求始終有意義且嚴格。由于不能保證組件制造商已滿足DIN VDE V 0884-11的要求，因此對未來和現有設計的電路板組件進行檢查以確保它們仍然滿足認證要求至關重要。

其他資源

• 查看TI的數字隔離器認證。

• 下載白皮書：“高壓增強隔離：定義和測試方法。”