發布日期：2022-04-20 點擊率：47
開關電源的應用十分廣泛，對于開關電源，我們應當增進一點認識。上篇文章中，小編對開關電源的主要類型有所闡述。為增進大家對開關電源的認識，本文將對開關電源EMI要求、開關電源發展方向予以介紹。如果你對開關電源具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
一、開關電源EMI要求
1、一次回路與二次回路分開布置。
2、交流電路、功率因數校正電路、PWM電路、整流電路、濾波電路，四個回路的面積越小越好：
(1)每個電路中的功率元件盡可能接近。(2) 電源線(兩條交叉線之間，主線和地線之間)相互靠近。
3、控制IC應盡可能靠近受控MOS晶體管。
4、控制IC周圍的元器件應盡量靠近IC，尤其是與IC直接相連的元器件，如RT、CT電阻、電容等，校正網絡電阻電容應布置在IC對應的引腳附近。從RT、CT到引腳的線路應盡可能短。
5、PFC和PWM電路應在單點接地。IC外圍元件的接地應先接至IC地，再接至MOS的S極，再由S極引至PFC電容器的負極。
6、反饋線應盡可能遠離干擾源的引線(如PFC電感器、PFC二極管引線、MOS晶體管)，且不應與它們平行。
7、數字地與仿真地應分開，地線間距應滿足一定要求。
8、偏置繞組的回流線應直接連接到PFC電容器的負極。
9、功率線應短而寬，以減少損耗，提高響應頻率，減小接收干擾的頻譜范圍。
10、在X電容、PFC電容引腳附近，銅條要收窄，以便充分利用電容濾波。
11、輸出濾波電容必要時可用兩個小電容并聯以減少ESR。
12、pfcmos和D，pwmmos散熱片必須接一次地，以減少共模干擾。
13、交流電路應遠離PFC和PWM電路，以減少后者的干擾。
14、雙層PCB的上層應盡量采用寬線，地線應盡量布置在上層。
15、多層PCB應用一層作為地線、一層作為電源線，以充分利用層間電容去耦，減小干擾。
16、變壓器二次側的散熱片和外屏蔽應與二次地連接。
17、變壓器的一次接地和二次側接地之間或直流正極與二次側接地之間應連接電容器，為共模干擾提供放電捷徑。
18、變壓器的內屏蔽層應與一次側的直流正極相連，以抑制二次側的共模干擾。
二、開關電源發展方向
開關電源高頻化是其發展的方向，高頻化使開關電源小型化，并使開關電源進入更廣泛的應用領域，特別是在高新技術領域的應用，推動了開關電源的發展前進，每年以超過兩位數字的增長率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發展。開關電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類，DC/DC變換器現已實現模塊化，且設計技術及生產工藝在國內外均已成熟和標準化，并已得到用戶的認可，但AC/DC的模塊化，因其自身的特性使得在模塊化的進程中，遇到較為復雜的技術和工藝制造問題。另外，開關電源的發展與應用在節約能源、節約資源及保護環境方面都具有重要的意義。
開關電源中應用的電力電子器件主要為二極管、IGBT和MOSFET、變壓器。
SCR在開關電源輸入整流電路及軟啟動電路中有少量應用，GTR驅動困難，開關頻率低，逐漸被IGBT和MOSFET取代。
開關電源的發展方向是高頻、高可靠、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。由于開關電源輕、小、薄的關鍵技術是高頻化，因此國外各大開關電源制造商都致力于同步開發新型高智能化的元器件，特別是改善二次整流器件的損耗，并在功率鐵氧體材料上加大科技創新，以提高在高頻率和較大磁通密度(Bs)下獲得高的磁性能，而電容器的小型化也是一項關鍵技術。SMT技術的應用使得開關電源取得了長足的進展，在電路板兩面布置元器件，以確保開關電源的輕、小、薄。開關電源的高頻化就必然對傳統的PWM開關技術進行創新，實現ZVS、ZCS的軟開關技術已成為開關電源的主流技術，并大幅提高了開關電源的工作效率。對于高可靠性指標，美國的開關電源生產商通過降低運行電流，降低結溫等措施以減少器件的應力，使得產品的可靠性大大提高。
模塊化是開關電源發展的總體趨勢，可以采用模塊化電源組成分布式電源系統，可以設計成N+1冗余電源系統，并實現并聯方式的容量擴展。針對開關電源運行噪聲大這一缺點，若單獨追求高頻化其噪聲也必將隨著增大，而采用部分諧振轉換電路技術，在理論上即可實現高頻化又可降低噪聲，但部分諧振轉換技術的實際應用仍存在著技術問題，故仍需在這一領域開展大量的工作，以使得該項技術得以實用化。
電力電子技術的不斷創新，使開關電源產業有著廣闊的發展前景。要加快我國開關電源產業的發展速度，就必須走技術創新之路，走出有中國特色的產學研聯合發展之路，為我國國民經濟的高速發展做出貢獻。
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