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空穴型半導體又稱P型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由于銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當于帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。

在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由于P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。

電容量可在一定范圍內調節的電容器稱為可變電容器。可變電容器容量的改變是通過改變極片間相對的有效面積或片間距離改變時，它的電容量就相應地變化。一般由相互絕緣的兩組極片組成：固定不動的一組極片稱為定片，可動的一組極片稱為動片。幾只可變電容器的動片可合裝在同一轉軸上，組成同軸可變的電容器(俗稱雙聯、三聯等)。可變電容器都有一個長柄，可裝上拉線或撥盤調節，外形可變電容器一種電容量可以在一定范圍內調節的電容器，通常在無線電接收電路中作調諧電容器用。

空氣介質可變電容器的電極由兩組金屬片組成。兩組電極中固定不變的一組為定片，能轉動的一組為動片，動片與定片之間以空氣作為介質。 [1] 當轉動空氣介質可變電容器的動片使之全部旋進定片間時，其電容量為最大;反之，將動片全部旋出定片間時，電容量最小。 [1] 空氣介質可變電容器分為空氣單連可變電容器(簡稱空氣單連)和空氣雙連可變電容器(簡稱空氣雙連，它由兩組動片、定片組成，可以同軸同步旋轉)， 空氣介質可變電容器一般用在收音機、電子儀器、高頻信號發生器、通信設備及有關電子設備中。 常用的產空氣單連可變電容器有CB-1-×××系列和CB-X-×××系列，常用的空氣雙連可變電容器有CB-2-×××系列和CB-2X-×××系列。

玻璃鈾電容的介質是由鈾粉(鈉鈣硅)用一定比例壓制而成，具有較好的電性能，他的制造工藝與瓷介獨石電容相似，穩定性比云母電容稍差，但優于一般的瓷介電容，特別是獨石玻璃鈾電容在潮濕的環境中穩定性很高。CI2小型玻璃鈾電容容量在10-3300P之間，使用于晶體管電路及小型電子儀器交流直流脈動電路。

電解電容的介質是一層極薄的金屬氧化膜，氧化膜的金屬基體是電容的陽極，液體，半導體，或固體電解液是電容的陰極。電解電容的結構特點決定了電解電容的比率電容大。電解電容的氧化膜具有單向導電性，在接入電路時必須認清正，負極。電解電容用于直流或者脈動電路中。 [5] 無極電解可以應用于極性變化的電路中，他是兩個電容的負極對接而成的。電解電容的損耗較大， 溫度，頻率特性較差，因此限制了電解在交流電路的應用。采用液體電解質的電容容易產生漏液， 干涸，老化，甚至爆炸的現象，電解電容的絕緣性能差， 高壓大容量的電解電容漏電可在1ma以上。