隨著電源要求、法規(guī)管制以及效率標準和 EMI 要求的日趨嚴格，電源越來越需要采用開關功率器件，因為開關功率器件效率更高且工作范圍更寬。與此同時，設計人員持續(xù)承受著降低成本和節(jié)省空間的壓力，面對這些需求，需要替代經(jīng)典硅 (Si) 基 MOSFET 的產品。
碳化硅 (SiC) 現(xiàn)已成熟并發(fā)展到第三代，已經(jīng)成為一種明智的選擇。基于 SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢，其中最為突出的特點是效率更高、可靠性更好、熱管理問題更少且占用空間更小。這些產品適用于整個功率譜，不需要徹底改變設計技術，不過可能需要一些調整。
本文對 Si 和 SiC 進行了簡要比較，介紹了 Cree/Wolfspeed 的 SiC 器件示例，并說明了如何使用此類器件進行設計。
SiC 與 Si MOSFET 比較
首先要清楚了解相關技術和術語：基于 SiC 的 FET 是 MOSFET，就像之前的硅片一樣。從廣義上講，其內部物理結構相似，二者均為三端器件，具有源極、漏極和柵極連接。
區(qū)別正如名稱所示：基于 SiC 的 FET 使用碳化硅作為基材，而不僅僅是硅。業(yè)內許多人士將其稱為 SiC 器件，而忽略了 MOSFET 部分。本文將其稱為 SiC FET。
為什么使用 SiC 化合物作為材料？由于各種深層物理學原因，SiC 有三大電氣特性與硅明顯不同，每個特性均賦予其工作優(yōu)勢。此外，SiC 還有其他一些更微妙的差異（圖 1）。
圖 1：SiC 與 Si 和 GaN 固體材料的關鍵材料性能的大致比較。與 Si 相比，SiC 具有更高的臨界擊穿電壓、更高的導熱率和更寬的帶隙。（圖片來源：Researchgate）
這些優(yōu)勢包括：
更高的臨界擊穿電場電壓（約 2.8 MV/cm，Si 為 0.3 MV/cm），因而在給定電壓額定值下工作時，可以使用更薄的層，大大降低導通電阻。
更高的導熱率，因而在橫截面上可以實現(xiàn)更高的電流密度。
更寬的帶隙（半導體（和絕緣體）中價帶頂部與導帶底部之間的能量差，單位為 eV），使得高溫下的漏電流更低。出于這個原因，SiC 二極管和 FET 常被稱為寬帶隙 (WBG) 器件。
其結果是，基于 SiC 的器件可阻斷的電壓比硅器件高出 10 倍左右，開關速度是硅器件的大約 10 倍，25°C 時的導通電阻只有硅器件的一半或更低。同時，它能在最高 200°C（硅器件為 125°C）的溫度下工作，因而使熱設計和熱管理得以簡化。
柵極驅動器對于實現(xiàn)所述優(yōu)勢至關重要
沒有柵極驅動器，功率器件便無法工作。柵極驅動器將低電平數(shù)字控制信號轉換為所需的電流和電壓信號，并為功率器件提供所需的時序（同時還提供一些保護來防范大多數(shù)類型的外部故障）。對于 SiC FET，驅動器必須具備一些額外功能以達到如下目的：
最大限度地降低傳導損耗、開關損耗和柵極損耗。這些損耗包括關斷和導通能量、米勒效應以及柵極驅動電流要求。關斷能量可根據(jù)關斷狀態(tài)下的柵極電阻和柵源電壓計算出來。為了減少這些損耗，必須從柵極抽取更多的電流。有一個辦法是讓驅動器在關斷期間向柵極電壓施加負偏壓。類似地，減小柵極電阻可以降低導通能耗。
最大限度地降低米勒效應及其負面影響；在某些情況和應用配置下，寄生電容可能會導致意外導通。米勒效應引起的這種導通會增加反向恢復能量并增加損耗。一種解決方案是讓驅動器具備所謂的米勒箝位保護功能，從而在功率級開關期間控制驅動電流。
以適當?shù)碾妷禾峁┧璧墓嚯娏骱屠娏鳌槭箵p耗最小，SiC 器件需要的正偏柵極驅動 (+20 V) 一般比硅基 MOSFET 高。SiC 器件可能還需要 -2 至 -6 V 的負 OFF 柵極電壓。所需柵極電流根據(jù)柵極電荷 (Qg)、VDD、漏極電流 ID、柵源電壓和柵極電阻進行常規(guī)計算來確定，典型值約為幾安培。該電流必須具有足夠的灌電流和拉電流額定值，其壓擺率須與 SiC FET 的開關速度相稱。
對電路板和器件的寄生效應（包括雜散電感和電容）進行建模并使之最小化，以免在器件的較高開關速度下，這些寄生效應引起振蕩、電壓/電流過沖和誤觸發(fā)。硅 MOSFET 有一個較小的“尾”電流，充當阻尼器或緩沖器，可在某種程度上減少過沖和瞬時振蕩。SiC MOSFET 沒有這種尾電流，因此漏極電壓過沖和瞬時振蕩可能較高并造成問題。要減少這些寄生效應，需要特別注意電路布局問題，盡量縮短導線長度，并將驅動器放置在盡可能靠近其功率器件的地方。即使幾厘米長也可能很重要，因為當 SiC FET 以較高開關速度工作時，這些雜散電感和電容的影響更為顯著。減小瞬時振蕩還有一個好處，那就是能夠減少與器件的驅動側和負載側的高速開關相關的 EMI 的產生。
盡管驅動 SiC MOSFET 會涉及其他問題，但許多供應商為此設計了標準 IC，其特性可滿足 SiC 器件的特定需求。請注意，在許多設計中，柵極驅動器和 SiC FET 必須與低壓電路進行電隔離。這樣可以通過光學、脈沖變壓器或容性隔離技術并利用標準元器件來實現(xiàn)。隔離首先是為了安全，防止用戶在電路故障時受到高壓侵害。其次，很多電路拓撲（例如電橋配置）中的 MOSFET 本身不接地，因而需要隔離。
新器件所展現(xiàn)的性能和能力
Cree/Wolfspeed 于 2011 年 1 月推出了首款商業(yè)封裝的 SiC MOSEFT CMF20120D（Wolfspeed 是 Cree 的電源和射頻部門，該名稱于 2015 年宣布），而 SiC 晶圓在幾年前便已上市。其額定值為 1200 V/98 A，導通電阻為 80 mΩ（全部為 25°C 時的值），采用 TO-247 封裝。這之后，Cree 很快推出了第二代 工藝，現(xiàn)在提供的則是第三代 SiC MOSEFT 指定 C3M 器件（圖 2）。
圖 2：Cree 的第二代（左） 和第三代（右）SiC 工藝結構的比較表明差異不大，但這些剖面圖并未顯示出最終的性能規(guī)格改進。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
例如，C3M0280090J 是業(yè)界首批 900 V SiC MOSFET 平臺之一。它針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化，包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源（表 1）。
| 阻斷電壓900 V+25°C 時電流額定值11.5 ARDS(ON) (+25°C)280 mΩ封裝TO-263-7柵極電荷總計9.5 nC最高結溫+150°C反向恢復電荷 (Qrr)47 nC反向恢復時間 (Trr)20 ns |
表 1：Cree 的 C3M0280090J SiC MOSFET 優(yōu)異特性表明其適用于可再生能源逆變器、電動汽車充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源。（表格來源：Cree/Wolfspeed）
除電壓/電流規(guī)格外，該器件還針對低電容的高速開關進行了優(yōu)化，采用低阻抗封裝，具有驅動器源極連接（圖 3），包括一個低反向恢復電荷 (Qrr) 的快速本征二極管，并且漏極和源極之間具有很寬的爬電距離（約 7 mm）。
圖 3：Cree 的 C3M0280090J 采用低阻抗封裝，具有驅動器源極連接。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
利用此 900 V 平臺可實現(xiàn)尺寸更小、效率更高的新一代電源轉換系統(tǒng)，其成本與硅基解決方案相當，但性能規(guī)格更為出色。安全工作區(qū) (SOA) 曲線概括了該 SiC FET 的能力（圖 4）。當漏源電壓 (VDS) 較低時，最大電流受導通電阻限制；在中等 VDS 時，該器件可在短時間內維持 15 A 的電流。
圖 4：Cree 的 C3M0280090J 安全工作區(qū)曲線顯示了其 IDS 與 VDS 能力的關系。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
封裝影響性能
Cree 還提供三款規(guī)格相似的器件——C3M0075120D、C3M0075120K 和 C3M0075120J，其差異主要是因封裝不同而引起的（圖 5）。
圖 5：Cree 的 1200 V SiC FET 有三種封裝，規(guī)格大致相似，但不完全相同。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
這些數(shù)字描述的是數(shù)據(jù)，但具體應用就另當別論了。后綴為 D 的器件采用三端子封裝 (TO-247-3)，而后綴為 K 的器件采用四端子封裝 (TO-247-4)。這兩款器件以及后綴為 J 的七端子器件均有開爾文源極引腳，它能降低柵極電路中 L×di/dt 引起的電壓尖峰效應。這樣一來，柵極和源極上便可施加更大電壓，從而實現(xiàn)更快速的動態(tài)切換。當在接近額定電流的條件下測量器件時，結果表明開關損耗有可能降低 3.5 倍。
評估板、參考設計加速成功
盡管與千兆赫茲頻率射頻設計截然不同，但打造高性能電路以在更高的電壓和功率范圍下工作仍然需要注意細節(jié)。元器件和布局的每一個細微之處和特征都會被放大，實際電路對哪怕最小的問題和疏忽也不會寬宥。
為了幫助設計人員評估諸如 C3M0075120D 和 C3M0075120K 之類的 SiC FET，Cree 提供了 KIT-CRD-3DD12P 降壓-升壓評估套件來演示這些器件的高速開關性能（圖 6）。它既支持 C3M0075120D 的三端子封裝，也支持 C3M0075120K 的四端子封裝（其余方面與前者相同）。設計人員可以測試和比較采用不同封裝的 Cree/Wolfspeed 第三代 (C3M) MOSFET 的性能。
圖 6：利用 KIT-CRD-3DD12P 評估套件，可以方便地評估三端子 TO-247 封裝 C3M0075120D 和四端子 C3M0075120K 的性能。請注意，大散熱器和環(huán)形電感器用于實現(xiàn)出色的散熱性能。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
該評估套件采用半橋配置，允許在上方和下方位置增加 MOSFET 或二極管，因此該板可配置為常見電源轉換拓撲，例如同步降壓或同步升壓。它還允許在頂部或底部位置增加二極管，讓用戶可以評估異步降壓或異步升壓轉換器拓撲。
此外，為了減少功率損耗，該套件配有一個由“鐵硅鋁磁粉”制成的低損耗電感器。這種磁性金屬粉末也稱為 Kool Mμ，由 85% 的鐵、9% 的硅和 6% 的鋁組成。它改進了關鍵磁性和溫度參數(shù)的規(guī)格，可替代坡莫合金。
對于需要設計自己的柵極驅動器子電路的用戶，Cree/Wolfspeed 還為這些第三代 SiC FET 提供了 CGD15SG00D2 柵極驅動器參考設計（圖 7）。
圖 7：CGD15SG00D2 柵極驅動器參考設計的頂部（左）和底部（右）；這是一個具有完整 BOM 的完整電路板，為用戶評估三引腳與四引腳 TO-247 封裝（使用相同 SiC MOSFET 芯片）的性能提供了條件。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
CGD15SG00D2 的高級框圖（圖 8）顯示了該參考設計的功能，包括光耦合器 (U1)、柵極驅動器集成電路 (U2) 和隔離電源 (X1)。光耦合器（5000 V 交流隔離）接受脈沖寬度調制 (PWM) 信號，并提供 35/50 kV/μs（最小值/典型值）的共模抗擾度。其他值得注意的特性包括：
一個凹槽，用以增強印刷電路邏輯側和電源側之間的強制爬電距離規(guī)格，而且在電路板的初級電路和次級電路之間有 9 mm 爬電性能增強縫。
一個 2 W 隔離電源，用以支持較大 MOSFET 在較高頻率下工作。
單獨的柵極導通和關斷電阻器，并帶有專用二極管，支持用戶定制和優(yōu)化導通與關斷信號。
邏輯電源輸入上的共模電感器可增強 EMI 抗擾度。
圖 8：CGD15SG00D2 柵極驅動器參考設計的高級框圖顯示了其主要功能模塊：光耦合器 U1、柵極驅動器 IC U2 和隔離電源 X1。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
總結
在功率開關應用中，與傳統(tǒng) Si MOSFET 相比，Cree/Wolfspeed 的第三代 SiC MOSFET 在效率和散熱能力方面具有明顯的性能優(yōu)勢。當與合適的驅動器一起使用時，它們可為新興及現(xiàn)有的應用提供可靠且始終如一的性能。
