站長統(tǒng)計

【導讀】客戶反饋其生產(chǎn)的某批次產(chǎn)品出現(xiàn)不能正常開機的現(xiàn)象，對失效產(chǎn)品局部加熱后，產(chǎn)品又能恢復正常工作。

1 失效背景

客戶反饋其生產(chǎn)的某批次產(chǎn)品出現(xiàn)不能正常開機的現(xiàn)象，對失效產(chǎn)品局部加熱后，產(chǎn)品又能恢復正常工作。

2 分析過程簡述

1）電性能測試

對電路進行排查，結果顯示失效樣品的器件Q2引腳信號出現(xiàn)異常，該器件為N-Channel MOSFET，具體表現(xiàn)為：NG樣品Q2的D極電位正常，但是對G極的反饋信號無動作。Q2不能正常工作致使電源電路的DC3.3V輸出下降，該輸出達不到設計要求，將會直接導致系統(tǒng)出現(xiàn)不能正常開機。

圖1 正常樣品與失效樣品Q2 pin腳信號對比

2）外觀檢查和X-Ray透視

對樣品進行外觀檢查和X-Ray透視對比，未發(fā)現(xiàn)任何異常。

3）動態(tài)性能測試

測試結果顯示：VDS固定，當器件在VGS作用下，DS之間溝道打開，隨著VGS增大，ID也會隨之增大，NG樣品在DS之間溝道打開后，出現(xiàn)ID突然下降至0的情況，對其進行加熱，該功能性測試即可恢復正常，靜置一段時間后，失效現(xiàn)象又會復現(xiàn)。出現(xiàn)上述現(xiàn)象的可能原因包括：a）Q2器件G與S之間存在漏電，導致加載在G端電壓下降至不足以開啟D與S之間的導電溝道；b）Q2器件D與S或者G與S之間存在開路。

MOSFET 失效分析" height="187" width="600"/>

圖3 動態(tài)性能測試（VGS-IDD）

4）C-SAM+切片+SEM

C-SAM測試結果顯示NG樣品固晶層分層明顯；SEM確認了這一現(xiàn)象：1）失效批次樣品的Q2固晶層出現(xiàn)明顯的分層不良；2）失效批次樣品的固晶層明顯比正常批次樣品厚。

圖4 SEM照片

3 總結與結論

由于客戶無法提供未使用過的失效批次Q2樣品，因此進一步的驗證試驗無法開展，但是鑒于失效樣品具有明顯的批次性特征以及正常樣品未出現(xiàn)類似失效現(xiàn)象，本報告認為失效批次器件的本身質量問題是導致本次失效的直接原因，與器件組裝無關。

作者：章銳華，王君兆，轉載自：美信檢測官網(wǎng)

推薦閱讀：

BLDC電機控制算法

貿澤電子新品推薦：2019年10月

傳感器+無線通信=？發(fā)揮你的想象力！

從AD7606到AD7606B，為你揭秘這款電力應用ADC的“進階”之路

關于對物聯(lián)網(wǎng)理解的十大誤區(qū)，你踩雷了嗎？

PoE以太網(wǎng)供電標準又升級了，你的PD控制器選好了嗎？