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      直線感應(yīng)電機

      2D NAND和3D NAND間有哪些區(qū)別和聯(lián)系?

      發(fā)布日期:2022-04-18 點擊率:129


      如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話,那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價,閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭,以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。

      那么,到底什么是閃存顆?2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系?

      閃存顆粒到底是什么?

      閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù),而且是以固定的區(qū)塊為單位,而不是以單個的字節(jié)為單位。

      根據(jù)用途和規(guī)格不同,閃存顆粒有很多不同的變種,今天我們主要討論的是用于固態(tài)硬盤等存儲設(shè)備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

      NAND閃存顆粒,是閃存家族的一員,最早由日立公司于1989年研制并推向市場,由于NAND閃存顆粒有著功耗更低、價格更低和性能更佳等諸多優(yōu)點,成為了存儲行業(yè)最為重要的存儲原料。

      2D NAND和3D NAND間有哪些區(qū)別和聯(lián)系?

      根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異,又可以分為SLC(單層次存儲單元)、MLC(雙層存儲單元)以及TLC(三層存儲單元),此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區(qū)別。

      在這里我們就不再展開討論了。

      2D和3D閃存之間的區(qū)別和聯(lián)系

      在解釋3D NAND之前,我們先得弄清楚2D NAND是什么,以及“2D”和“3D”的真實含義。

      首先是2D NAND,我們知道在數(shù)學(xué)和物理領(lǐng)域,2D/3D都是指的方向,都是指的坐標(biāo)軸,“2D”指的是平面上的長和寬,而“3D”則是在“2D”基礎(chǔ)上,添加了一個垂直方向的“高”的概念。

      由此,2D NAND真實的含義其實就是一種顆粒在單die內(nèi)部的排列方式,是按照傳統(tǒng)二維平面模式進(jìn)行排列閃存顆粒的。

      相對應(yīng)的,3D NAND則是在二維平面基礎(chǔ)上,在垂直方向也進(jìn)行顆粒的排列,即將原本平面的堆疊方式,進(jìn)行了創(chuàng)新。

      利用新的技術(shù)(即3D NAND技術(shù))使得顆粒能夠進(jìn)行立體式的堆疊,從而解決了由于晶圓物理極限而無法進(jìn)一步擴大單die可用容量的限制,在同樣體積大小的情況下,極大的提升了閃存顆粒單die的容量體積,進(jìn)一步推動了存儲顆粒總體容量的飆升。

      同時,在業(yè)界,根據(jù)在垂直方向堆疊的顆粒層數(shù)不同,和選用的顆粒種類不同,3D NAND顆粒又可以分為32層、48層甚至64層 3D TLC/MLC顆粒的不同產(chǎn)品,這取決于各大原廠廠商的技術(shù)儲備和實際選用的顆粒種類。

      我們可以打個比方,來理解2D NAND和3D NAND技藝之間的區(qū)別和聯(lián)系。

      2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數(shù)間平房,這些平房整齊排列,但是隨著需求量的不斷增加,平房的數(shù)量不斷井噴,可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數(shù)量的平房而無法繼續(xù)增加;

      3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房,在同樣的平面中,樓房的容積率卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于平房,因而它能提供更多的空間,也就是提供了更大的存儲空間,而32層、48層以及64層,則就是這些樓房的高度,一共堆疊了多少層。

      2D NAND和3D NAND間有哪些區(qū)別和聯(lián)系?

      雖然,3D NAND技術(shù)能夠在同等體積下,提供更多的存儲空間,但是這項堆疊技術(shù)對于原廠制造商來說有著相當(dāng)?shù)牟僮麟y度,需要原廠有著相當(dāng)?shù)募夹g(shù)積累,因而目前能夠掌握3D NAND技術(shù)的原廠公司十分少見,只有三星、美光等少數(shù)公司的3D NAND顆粒實現(xiàn)了量產(chǎn)和問世。

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