產(chǎn)品分類(lèi)

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      類(lèi)型分類(lèi):
      科普知識(shí)
      數(shù)據(jù)分類(lèi):
      直線感應(yīng)電機(jī)

      這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)成為提高3D NAND FLASH競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵

      發(fā)布日期:2022-04-18 點(diǎn)擊率:89


        Cellon Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)數(shù)組堆棧在外圍電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的芯片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合組件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)三星、東芝(Toshiba)提升其3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。

        然而,Cell on Peri構(gòu)造將原先在不同制程制作的3D NAND Flash與邏輯電路結(jié)合于單一制程,雖有其優(yōu)點(diǎn),但尚存諸多課題,包括相關(guān)產(chǎn)線與設(shè)備需延伸、擴(kuò)大,將導(dǎo)致業(yè)者的資本支出增加,且3D NAND Flash經(jīng)高溫制程后,恐因高溫而破壞下方CMOS電路,將影響良率。

        由于三星同時(shí)生產(chǎn)3D NAND Flash與邏輯電路,如Cell on Peri構(gòu)造能克服良率與成本等問(wèn)題,可望成為其爭(zhēng)取蘋(píng)果(Apple)應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)訂單的優(yōu)勢(shì),而東芝半導(dǎo)體事業(yè)涵蓋3D NAND Flash與系統(tǒng)LSI,美光與英特爾陣營(yíng)亦可結(jié)合雙方3D NAND Flash與CPU,運(yùn)用Cell on Peri構(gòu)造,有助其提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。

        另外,3D NAND Flash若引進(jìn)Cell on Peri構(gòu)造,由于在形成外圍區(qū)域后,需經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)制程使之平坦化,才能于其上形成3D NAND Flash晶胞數(shù)組,將使得CMP制程的重要性提高。

        Cell on Peri構(gòu)造有利采3D NAND Flash解決方案縮減芯片面積

        Cellon Peri系由美光與英特爾陣營(yíng)所開(kāi)發(fā),其與Peri under Cell是相同概念,意味先形成外圍(Peripheral)區(qū)域后,再堆棧晶胞,也就是運(yùn)用將3D NAND Flash晶胞數(shù)組堆棧在外圍電路CMOS邏輯IC上的方式,縮減采3D NAND Flash解決方案的芯片面積。

        具體而言,Cell on Peri構(gòu)造將字符線譯碼電路與感測(cè)放大器(Sense Amplifier)電路置于下層,且將3D NAND Flash晶胞數(shù)組置于上層。

        為此,Cell on Peri構(gòu)造需增加約4層的金屬配線,其中2層金屬配線位在3D NAND Flash晶胞數(shù)組下方,用來(lái)鏈接上方3D NAND Flash晶胞數(shù)組及下方CMOS電路。

        至于另2層金屬配線,則在3D NAND Flash晶胞數(shù)組上方,分別為位線與電源總線(Bus)。

        美光與英特爾陣營(yíng)于3D NAND Flash所開(kāi)發(fā)的Cell on Peri構(gòu)造

        這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)成為提高3D NAND FLASH競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵

        數(shù)據(jù)源:美光、英特爾、南韓NH投資證券

        換個(gè)方式比喻,Cell on Peri構(gòu)造如同將商店街設(shè)于住宅下方的住商混合大樓,有利于節(jié)省土地面積,反觀既有構(gòu)造則如同住宅與商業(yè)用途各自分開(kāi)的兩棟大樓,需較大土地面積。

        Cell on Peri構(gòu)造有利采3D NAND Flash解決方案縮減芯片面積示意圖

        這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)成為提高3D NAND FLASH競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵

        數(shù)據(jù)源:南韓NH投資證券

        由于外圍區(qū)域占整體3D NAND Flash約30%面積,將3D NAND Flash晶胞數(shù)組堆棧在外圍電路之上,有助于采用3D NAND Flash解決方案縮減芯片面積

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