產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
    
    
    
    

   
      
     
      
        
       
         
      
         
      分類：
               
      
         
      
       
       
      
       
      
      
           
      
                
        
                   
      • 替代產(chǎn)品 
        • 
                   
      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
        • 
                   
                 
      
           
      
           
      
              
        

       
            
            
              
        
          
      
          
        
            
            
              
        
          
      
           
      
      
      
    
 
     
      
        
      
         
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      • 產(chǎn)品介紹 
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      • 產(chǎn)品屬性
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      • 相關(guān)資料
        • 
             
      • 產(chǎn)品評價(jià)（0）
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               Infineon IKW30N65ES5XKSA1 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      Infineon TrenchStop IGBT 晶體管，600 和 650V
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            一系列 Infineon IGBT 晶體管，集電極-發(fā)射器電壓額定值為 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶有集成高速、快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的設(shè)備。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            ? 集電極-發(fā)射器電壓范圍為 600 至 650V
      ? 極低的 VCEsat
      ? 低斷開損耗
      ? 短尾線電流
      ? 低 EMI
      ? 最大接點(diǎn)溫度為 175°C 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      IGBT 分立件和模塊，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    最大連續(xù)集電極電流
                    62 A
                
      
            
                
      
                    最大集電極-發(fā)射極電壓
                    650 V
                
      
            
                
      
                    最大柵極發(fā)射極電壓
                    ±20 V, ±30V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    188 W
                
      
            
                
      
                    晶體管數(shù)
                    1
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-247
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    開關(guān)速度
                    30kHz
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    尺寸
                    16.13 x 5.21 x 21.1mm
                
      
            
        
                  
      
          
      

      暫無
      
          
      
          
      
               
        
                     
                   
      
            
      
             
      

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