Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發射極電壓為 1200 V，總耗散功率為 355 W，最大柵極閾值電壓為 6.5 V。
內部隔離基本絕緣（1 類，IEC 61140）
柵極-發射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發射極飽和電壓 2.15 V
柵極-發射極泄漏電流 400 nA
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 75 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 晶體管數 | 7 |
| 封裝類型 | EconoPIM |
