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      Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT

      訂 貨 號:FP50R12KE3BOSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

      -
      +

      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
      電 話:
      手 機(jī):
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      Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V,全部功耗為 280 W,最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

      內(nèi)部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)
      柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
      集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.30 V
      柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 75 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 280 W
      晶體管數(shù) 7
      暫無
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