Infineon OptiMOS 5 功率晶體管 N 溝道 MOSFET 具有 40V 漏極源擊穿電壓和 170A 連續(xù)漏極電流。此產(chǎn)品為需要正常電平 (更高閾值電壓) 驅(qū)動能力的應用提供基準解決方案。正常電平產(chǎn)品組合中的高 Vth 可抗由于嘈雜環(huán)境導致的錯誤開啟。此外，較低的 QGD/QGS 比率降低了柵極電壓峰值的 Peak ，進一步提高了抗意外開啟的穩(wěn)定性。

電池供電應用
LV 電動機驅(qū)動器
極低接通電阻 RDS (接通)
通過 100% 雪崩測試
175°C 接點溫度
出色的耐熱性能
低柵極電荷
減少切換損耗
適用于在更高頻率下工作
N 通道
無鉛引線電鍍
符合 RoHS
無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準