這款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先進 PowerTrench? 工藝生產，該工藝內置了屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
屏蔽柵極 MOSFET 技術
VGS = 10 V、ID = 37 A 時，最大 rDS（接通）= 4.2 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 29 A 時，最大 RDS（接通）= 11.1 mΩ
比其他 MOSFET 供應商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
邏輯電平驅動功能
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 116 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 7.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 113.6 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 51 nc @ 10 v |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 5.85mm |
| 寬度 | 5mm |
