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這款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先進 PowerTrench? 工藝生產，該工藝內置了屏蔽柵極技術。此過程已經(jīng)過優(yōu)化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優(yōu)異的切換性能。

屏蔽柵極 MOSFET 技術
VGS = 10 V、ID = 37 A 時，最大 rDS（接通）= 4.2 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 29 A 時，最大 RDS（接通）= 11.1 mΩ
比其他 MOSFET 供應商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
邏輯電平驅動功能
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。