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ON Semiconductor?SUPERFET III MOSFET 是新的高電壓?Ω 接點(diǎn) (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)卓越的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于有效減少各種電源系統(tǒng)并提高系統(tǒng)效率。

經(jīng)過 100% 雪崩測(cè)試
符合 RoHS
典型值 RDS (接通) = 32 mΩ m Ω
內(nèi)部柵極電阻： 0.7 Ω
超低柵極電荷 (典型值 QG = 132 nC)
TJ = 150 oC 時(shí)為 700 V