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the Infineon ex場 功率 mosfet 系列具有 55V 的最大漏極源電壓、是采用 d-pak 封裝類型的單個(gè) n 溝道 hex場 功率 mosfet 。國際整流器的英飛凌系列第五代 hex場 效應(yīng)晶體管利用先進(jìn)的處理技術(shù) Advanced on resistance for Infineon area 的導(dǎo)通電阻極 International Rectifier 。此優(yōu)勢結(jié)合了 ex場 效應(yīng)晶體管聞名的快速切換速度和耐震設(shè)備設(shè)計(jì)、可提供足夠的電平設(shè)備、為設(shè)計(jì)人員提供極其高效和可靠的設(shè)備、適用于各種應(yīng)用。d-pack 設(shè)計(jì)用于使用汽相、紅外線或波焊技術(shù)進(jìn)行表面安裝。

先進(jìn)的工藝技術(shù)
超低接通電阻
無鉛
完全耐雪崩等級