Infineon 是一種革命性的方法、可避免通態電阻（ r ds （ on ））與線性模式功能之間的取舍、即在增強模式 mosfet 的飽和區域內運行。它提供最先進的溝道 mosfet r ds （ on ）以及經典平面 mosfet 的寬安全工作區域。
低 r ds （ on ）和寬安全工作區域的組合 （ soa ）
高最大脈沖電流
高連續脈沖電流
堅固的線性模式操作
低傳導損耗
更高的浪涌電流可實現更快的啟動和更短的啟動 時間
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 170 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | Pg- TO263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0033 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.1V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
