Vishay e 系列功率 mosfet 采用 dak （ o252 ）封裝類型、采用單配置。
低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容（吻）
減少切換和傳導損耗
超低柵極電荷 (Qg)
雪崩能量等級（ uis ）
集成齊納二極管 esd 保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 8 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.391. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 2 → 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
