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此新一代 MOSFET 設計旨在最大程度減少 RDS(接通)損耗但保持卓越的切換性能。此器件特別適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關。
100% 生產(chǎn)中非鉗制電感性開關 (UIS) 測試
高熱效率封裝 – 應用工作溫度更低
高轉(zhuǎn)換率
低 RDS(接通)- 可最大程度減少通態(tài)損耗
<1.1mm 封裝型 - 特別適用于薄應用
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
開關
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 17(狀態(tài))A,21(穩(wěn)定)A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 6 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.6V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.6V |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±25 V |
| 長度 | 6mm |
| 寬度 | 5.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 127 nC @ 10V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |