the Infineon 600V cool mos P7 超結 mosfet 是 600V cool mos P6 系列的后繼產品。它繼續在設計過程中兼顧對高效率的需求與易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos 7th 發電平臺固有的低柵極電荷（ qg ）可確保其高效率。
600V P7 可實現出色的 fom rds （接通） xeoss 和 rds （接通） xq
≥ 2kV 的 esd 堅固性（ hbm 2 類）
集成柵極電阻器電阻器
堅固的體二極管
廣泛的產品組合、采用通孔和表面安裝封裝
提供標準級和工業級部件
出色的 rds （接通） xqg / rds （接通） xeoss 可實現更高的效率
通過阻止 esd 故障的發生、在制造環境中易于使用
集成式設計可降低 mosfet 振蕩靈敏度
mosfet 適用于硬開關和諧振開關拓撲 例如 pfc 和 llc
在所見車身二極管的硬換向期間具有出色的堅固 在 llc 拓撲中
適用于各種終端應用和輸出 權力
提供適合消費和工業應用的部件
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 151 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Pg 至 247-4. |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.06 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
