hex場 ? 功率 mosfet 硅技術的英飛凌設計采用先進的 direct 東帝汶技術封裝，在一個封裝尺寸僅為 so-8 和 0.7 mm 的封裝中實現最低的通態電阻 Advanced Infineon 封裝尺寸。當在制造方法和工藝方面遵循應用說明 a-1035 時、 direct場 封裝與電源應用、印刷電路板裝配設備和汽相、紅外或對流焊接技術中使用的現有布局幾何結構兼容。
100% rg 測試低傳導和切換損耗
超低封裝電感、特別適用于 cpu 內核直流 - 直流轉換器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 81 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | Direct場 ometric |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0064 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.45V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
