當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





on ON Semiconductor 60V 功率 mosfet 使用 211 a 的漏極電流和單 n?溝道。它具有更低的切換噪聲 /emi 、有效減少傳導損耗。
低 rds (接通)可有效減少傳導
低電容、有效減少驅(qū)動器
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 211 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0021. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |