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      Vishay SIS126DN-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIS126DN-T1-GE3      品牌:Vishay/威世

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      Vishay SIS126DN-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      N 通道 80V (D-S) MOSFET 。

      TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
      RDSX QG 極低功耗 (FOM)
      針對最低的 RDS X QOSS FOM 進行了調(diào)整


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 45.1a.
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 PowerPAK 1212
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 12.5 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 52 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 3.15mm
      長度 3.15mm
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 21.1 nC @ 10 V
      暫無
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