Infineon MOSFET 專為汽車應用設計，這種 HEXFET? Power MOSFET 的蜂窩狀平面設計利用最新的處理技術來實現每硅面積的低導通電阻。
先進的平面技術
低導通電阻
動態 dv/dt 額定值
175°C 工作溫度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 31 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
