Vishay 半導體 SI3457CDV-T1-GE3 是 6 引腳， 30 V ， 5。1 A ，表面安裝 P 通道 MOSFET 通常用于負載開關。
無鹵，符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 5.1 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | TSOP6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 13 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -3V |
| 最小柵閾值電壓 | -1V |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 1.7mm |
| 長度 | 3.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
