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Vishay SI3457CDV-T1-GE3 MOSFET

訂貨號：SI3457CDV-T1-GE3 品牌：Vishay/威世

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場價：￥0.00 品牌商：￥0.00

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Vishay SI3457CDV-T1-GE3 MOSFET

產(chǎn)品詳細信息

Vishay 半導體 SI3457CDV-T1-GE3 是 6 引腳， 30 V ， 5。1 A ，表面安裝 P 通道 MOSFET 通常用于負載開關。

無鹵，符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	5.1 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	TSOP6
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	13 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	-3V
最小柵閾值電壓	-1V
最大功率耗散	3 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	±20 V
寬度	1.7mm
長度	3.1mm
典型柵極電荷@Vgs	10 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+150 °C

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