ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 功率溝道工藝生產。硅和雙冷卻封裝技術的進步相結合，可提供最低通態電阻，同時通過極低的接點到環境熱阻保持出色的切換性能。
改進的封裝散熱能力
減少傳導損耗
提高系統效率
包裝材料符合最新要求
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 61 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.01 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
