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      Infineon IPTC019N10NM5ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPTC019N10NM5ATMA1      品牌:IPT

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      Infineon IPTC019N10NM5ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon IPTC019N10NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分,采用直插式 TOP 側(cè)冷卻封裝,可提供卓越的熱性能。此創(chuàng)新型封裝結(jié)合 OptiMOS 5 技術(shù)的主要功能,使杰出產(chǎn)品具有 100 V 電壓以及 300 A 的高電流額定值,適用于高功率密度設(shè)計。通過 TOP 側(cè)面冷卻設(shè)置,排放器暴露在封裝表面, 95% 的散熱可直接提升到散熱器,與收費(fèi)封裝相比, RthJA 性能提高 20% , RthJC 性能提高 50%。通過 Toll 或 D2PAK 等底部散熱封裝,熱量通過印刷電路板散熱到散熱器,導(dǎo)致高功率損耗。

      負(fù)支架
      在冷卻系統(tǒng)中節(jié)省成本
      提高系統(tǒng)效率,延長電池壽命


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 279 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 PG-HDSOP-16.
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 16
      最大漏源電阻值 0.0019 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.8V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無
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