產(chǎn)品分類
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      onsemi NVMJS1D3N04CTWG MOSFET

      訂 貨 號(hào):NVMJS1D3N04CTWG      品牌:Onsemi/安森美

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

      -
      +

      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
      電 話:
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      主營產(chǎn)品:
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      onsemi NVMJS1D3N04CTWG MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高熱性能。MOSFET 和 PPAP 適用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。

      體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
      低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
      低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
      LFPAK8 封裝,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
      支持 PPAP
      這些設(shè)備無鉛、無鹵素/無 BFR


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 235 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 LFPAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 1.3 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2.5V
      最大功率耗散 128 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      寬度 4.9mm
      典型柵極電荷@Vgs 65nc @10V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      長度 5mm
      最高工作溫度 +175 °C
      暫無
      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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