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訂 貨 號(hào):IMZA65R027M1HXKSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 具有 SiC MOSFET ,以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟(jì)高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能,可靠性和易用性的獨(dú)特組合。它適用于高溫和惡劣操作,可實(shí)現(xiàn)最高效的簡(jiǎn)化和經(jīng)濟(jì)部署。MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,可減少對(duì)柵極電路的寄生源電感效應(yīng),實(shí)現(xiàn)更快的切換和更高的效率。
低電容
優(yōu)化了高電流時(shí)的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強(qiáng)的耐雪崩能力
可與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)程序一起使用
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 59 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類(lèi)型 | PG-TO247 |
| 安裝類(lèi)型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.034 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 5.7V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |