DN2625 是一款低閾值耗盡型（常開）晶體管，采用先進的垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。
其他特點：極低的柵極閾值電壓
設計為源極驅動
低切換損耗
低有效輸出電容
設計用于感性負載
當由 MD2130 驅動時，可完美匹配低二次諧波
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 1.1 A |
| 最大漏源電壓 | 250 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 3.5 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 寬度 | 6.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 長度 | 6.6mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
